Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode The **IHW30N120R2** is a power semiconductor device manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Part Number:** IHW30N120R2  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200 V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 60 A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 30 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 330 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.85 V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Junction Temperature (T_j):** -40°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The **IHW30N120R2** is a high-voltage IGBT designed for power switching applications. It combines low conduction losses with fast switching performance, making it suitable for industrial and automotive applications, including motor drives, inverters, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat):** Ensures reduced conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 60 A at 25°C.  
- **Fast Switching:** Optimized for efficiency in high-frequency applications.  
- **Temperature Stability:** Operates reliably across a wide temperature range.  
- **Robust Design:** Suitable for demanding industrial environments.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is strictly based on Infineon's datasheet and technical documentation for the IHW30N120R2.