### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 1000V  
- **Current Rating (ID):** 30A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (PD):** 330W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **RDS(on) (Max):** 0.19Ω (at VGS = 15V, ID = 15A)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF (Typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 300pF (Typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 40pF (Typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (Typical)  
- **Rise Time (tr):** 40ns (Typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (Typical)  
- **Fall Time (tf):** 25ns (Typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The IHW30N100R is a high-voltage N-channel power MOSFET designed by Infineon, optimized for high-efficiency switching applications. It features low on-state resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Low RDS(on):** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 1000V for robust performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures reliability under high-stress conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **TO-247 Package:** Provides excellent thermal performance.  

(All data sourced from Infineon’s official documentation.)