Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode The **IHW25N120R2** is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200 V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 25 A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 15 A  
- **Pulse Current (I_CM):** 50 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.85 V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15 ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 100 ns  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -40°C to +150°C  

### **Description:**  
The **IHW25N120R2** is a **NPT (Non-Punch Through) trench IGBT** designed for high-efficiency switching applications. It features low conduction and switching losses, making it suitable for power conversion systems such as inverters, motor drives, and industrial power supplies.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** performance for high-frequency applications.  
- **High ruggedness** and short-circuit capability.  
- **Temperature-stable switching behavior** due to NPT technology.  
- **Co-packaged with an optimized anti-parallel diode** for improved reverse recovery characteristics.  
- **TO-247 package** for efficient thermal management.  

This IGBT is commonly used in **solar inverters, welding equipment, UPS systems, and motor control applications** due to its high efficiency and reliability.  

(Note: All data is sourced from Infineon’s official documentation.)