Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode The **IHW20N120R2** is a power semiconductor device manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Part Number:** IHW20N120R2  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200 V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 40 A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 20 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.85 V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**
- The **IHW20N120R2** is a high-voltage IGBT designed for power switching applications.  
- It is optimized for **high efficiency and robustness** in industrial and automotive applications.  
- Features **low conduction and switching losses**, making it suitable for high-frequency applications.  
- The device is **RoHS compliant** and follows industry-standard packaging (TO-247).  

### **Features:**
- **High voltage capability (1200 V)**  
- **Low saturation voltage (V_CE(sat))** for reduced conduction losses  
- **Fast switching performance** for improved efficiency  
- **High current handling (40 A @ 25°C, 20 A @ 100°C)**  
- **Temperature-stable operation** (-40°C to +150°C)  
- **Robust and reliable** for demanding applications  
- **TO-247 package** for easy mounting and heat dissipation  

This information is based on Infineon's official datasheet and product documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the manufacturer's datasheet.