Reverse conducting IGBT with monolithic body diode The **IHW15N120R3** is a power transistor manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200 V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 30 A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 15 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 160 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.85 V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Package:** TO-247  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Suitable for industrial, automotive, and renewable energy applications.  
- Features low conduction and switching losses.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 1200 V breakdown voltage.  
- **Low Saturation Voltage:** Reduces conduction losses.  
- **Fast Switching:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Temperature Stability:** Robust performance across a wide temperature range.  
- **TO-247 Package:** Ensures good thermal dissipation.  

This information is sourced from Infineon's official documentation. For detailed datasheets, refer to Infineon's website.

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode