IGBTs & DuoPacks The IHP10T120 is a high-performance IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200 V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 10 A  
- **Maximum Collector Current (I_C @100°C):** 6 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 48 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Switching Speed:** High-speed switching capability  
- **Package Type:** Module (TO-247 or similar)  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-efficiency power conversion** in industrial and automotive applications.  
- Suitable for **motor drives, inverters, and power supplies**.  
- Features **low conduction and switching losses** for improved thermal performance.  

### **Features:**  
- **Low saturation voltage (V_CE(sat))** for reduced power loss.  
- **Fast switching** for high-frequency applications.  
- **High ruggedness** against short-circuit and overcurrent conditions.  
- **Temperature-stable performance** with a wide operating range.  

This module is optimized for **high-power, high-frequency switching** applications where reliability and efficiency are critical.  

(Note: For exact datasheet details, refer to Infineon's official documentation.)