IH5352MJE

Quad RF and video switch The IH5352MJE is a high-speed, high-voltage NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by HAR (Harris Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the available knowledge base:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** HAR (Harris Semiconductor)  
- **Transistor Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 400V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 500V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 6V  
- **Collector Current (I_C):** 15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 15 to 60 (varies with operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** 10MHz  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-247 (TO-3P)  

### **Descriptions:**  
- The IH5352MJE is designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It is commonly used in power supplies, motor control, and high-voltage amplification circuits.  
- The device features low saturation voltage and high current capability.  

### **Features:**  
- **High Voltage Rating:** Suitable for applications requiring up to 400V.  
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 15A collector current.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Robust Construction:** TO-247 package provides efficient thermal dissipation.  
- **Wide Operating Temperature Range:** Reliable performance in extreme conditions.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Quad RF and video switch