4-channel; 30V; 10mA; 500mW; virtual ground analog switch The IH5010MDD is a high-power RF transistor manufactured by HARRIS (now part of L3Harris Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** HARRIS (L3Harris Technologies)  
- **Type:** RF Power Transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Frequency Range:** VHF to UHF bands  
- **Output Power:** High power (specific wattage depends on configuration)  
- **Voltage Rating:** Typically operates at high voltages (exact value varies by model)  
- **Gain:** High gain performance  
- **Package:** Metal-ceramic package for thermal and RF performance  

### **Descriptions:**
- Designed for RF power amplification in industrial, military, and commercial applications.  
- Suitable for linear and nonlinear RF amplification.  
- Robust construction for reliable performance in demanding environments.  

### **Features:**
- High power output for RF amplification.  
- Broadband performance across VHF/UHF frequencies.  
- Excellent thermal stability.  
- Hermetically sealed package for durability.  
- Used in RF amplifiers, transmitters, and communication systems.  

For exact electrical characteristics, refer to the official datasheet from L3Harris (formerly HARRIS).

4-channel; 30V; 10mA; 500mW; virtual ground analog switch