1200V IGBT for frequencies up to 10kHz for hard switching applications and up to 30kHz for soft switching. Combined Trench- and Fieldstop-Technology. ... The IGW50N60T is a power semiconductor device manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Device Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600 V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 50 A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 30 A  
- **Maximum Power Dissipation (P_tot):** 300 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.85 V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Junction Temperature Range (T_j):** -40°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
- The IGW50N60T is a high-efficiency IGBT designed for power switching applications.  
- It is optimized for low conduction and switching losses, making it suitable for high-frequency applications.  
- The device features a trench-stop structure for improved performance and reliability.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in conduction.  
- **Fast Switching:** Reduces switching losses in high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Temperature Stability:** Reliable operation across a wide temperature range.  
- **Robust Design:** Suitable for industrial and automotive applications.  

This information is based on Infineon’s official documentation for the IGW50N60T IGBT.