1200V IGBT for frequencies up to 10kHz for hard switching applications and up to 30kHz for soft switching. Combined Trench- and Fieldstop-Technology. ... The IGW50N60T is a power semiconductor device manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Device Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600 V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 50 A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 30 A  
- **Maximum Power Dissipation (P_tot):** 300 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.85 V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Junction Temperature Range (T_j):** -40°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
- The IGW50N60T is a high-efficiency IGBT designed for power switching applications.  
- It is optimized for low conduction and switching losses, making it suitable for high-frequency applications.  
- The device features a trench-stop structure for improved performance and reliability.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in conduction.  
- **Fast Switching:** Reduces switching losses in high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Temperature Stability:** Reliable operation across a wide temperature range.  
- **Robust Design:** Suitable for industrial and automotive applications.  

This information is based on Infineon’s official documentation for the IGW50N60T IGBT.

1200V IGBT for frequencies up to 10kHz for hard switching applications and up to 30kHz for soft switching. Combined Trench- and Fieldstop-Technology. ...