Low Loss IGBT: IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology The IGW30N100T is a power semiconductor device manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Part Number:** IGW30N100T  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Device Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1000V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 30A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 15A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Package:** TO-247  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IGW30N100T is a high-voltage IGBT designed for power switching applications.  
- It features low conduction and switching losses, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is optimized for industrial and automotive applications requiring robust performance.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat):** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Temperature Stability:** Reliable operation across a wide temperature range.  
- **Robust Construction:** Designed for durability in demanding environments.  

This information is based strictly on Infineon's technical documentation for the IGW30N100T.