IGBTs & DuoPacks The **IGW03N120H2** is a power semiconductor device manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Device Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200 V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 6 A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 3 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 30 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.85 V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Package:** TO-247  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  

### **Description:**  
The **IGW03N120H2** is a high-voltage IGBT designed for power switching applications. It features low conduction and switching losses, making it suitable for energy-efficient systems. The device is optimized for high-frequency switching and robust performance in industrial and automotive applications.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in conduction.  
- **Fast Switching:** Reduces switching losses in high-frequency applications.  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 1200 V for demanding power circuits.  
- **Temperature Stability:** Reliable operation across a wide temperature range.  
- **Robust Design:** TO-247 package ensures good thermal performance.  

For detailed datasheet information, refer to **Infineon’s official documentation**.