1200V IGBT for frequencies up to 10kHz for hard switching applications and up to 30kHz for soft switching. Combined Trench- and Fieldstop-Technology. ... The IGP50N60T is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IGP50N60T  
- **Transistor Type:** N-Channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 50A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 30A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low switching losses  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
- The IGP50N60T is a high-efficiency IGBT designed for power switching applications.  
- It combines the advantages of MOSFETs and bipolar transistors, offering low conduction losses and high switching performance.  
- Suitable for high-power applications such as motor drives, inverters, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat):** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Current Capability:** Supports up to 50A at 25°C.  
- **Temperature Stability:** Robust performance across a wide temperature range.  
- **High Voltage Rating:** 600V breakdown voltage for industrial applications.  
- **TO-247 Package:** Provides good thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.