Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology The IGP10N60T is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IGP10N60T  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 10A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min) - 5V (max)  
- **Gate Charge (Q_g):** 24nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
The IGP10N60T is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-state resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Ensures reliable performance in demanding environments.  
- **TO-220 Package:** Allows for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.