IGBTs & DuoPacks The **IGP03N120H2** is a power semiconductor device manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IGP03N120H2  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200 V  
- **Current Rating (I_C at 25°C):** 3 A  
- **Current Rating (I_C at 100°C):** 2 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 30 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1 V (typical) at I_C = 3 A  
- **Switching Speed:** Fast switching characteristics  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The **IGP03N120H2** is a **N-channel IGBT** designed for **high-voltage, medium-current** applications.  
- It is optimized for **efficiency and robustness** in power conversion systems.  
- Suitable for **switching applications** in motor drives, inverters, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat)** for reduced conduction losses.  
- **High input impedance** (MOSFET-like gate drive).  
- **Fast switching** for improved efficiency.  
- **Temperature-stable performance** with a wide operating range.  
- **Compact TO-252 package** for space-saving designs.  

This information is based on Infineon's official datasheet and technical documentation. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the manufacturer's datasheet.