IGBTs & DuoPacks The **IGD01N120H2** is a power semiconductor device manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IGD01N120H2  
- **Device Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C):** 1A (specific conditions may apply)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Technology:** TrenchStop™ (Infineon’s low-loss IGBT technology)  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_tot):** Dependent on operating conditions  
- **Switching Characteristics:** Optimized for low switching losses  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Saturation Voltage (V_CE(sat)):** Designed for reduced conduction losses.  
- **High Voltage Capability:** Suitable for high-voltage applications up to 1200V.  
- **Fast Switching:** Optimized for efficient switching performance.  
- **TrenchStop™ Technology:** Enhances efficiency by minimizing losses.  
- **Robust & Reliable:** Designed for industrial and automotive applications.  
- **Surface-Mount Package (TO-252):** Compact form factor for space-constrained designs.  

For exact performance characteristics, refer to the official **Infineon datasheet**.