1200V IGBT for frequencies up to 10kHz for hard switching applications and up to 30kHz for soft switching. Combined Trench- and Fieldstop-Technology. ... The **IGB50N60T** is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600 V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 50 A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 30 A  
- **Maximum Collector Power Dissipation (P_tot):** 300 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.7 V (typical at I_C = 25 A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 110 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**
- The **IGB50N60T** is a high-speed switching IGBT designed for power electronics applications.  
- It is optimized for low conduction and switching losses, making it suitable for inverters, motor drives, and switching power supplies.  
- The device features a trench-stop structure for improved efficiency and robustness.  

### **Features:**
- **Low Saturation Voltage (V_CE(sat))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **High Current Capability** with a 50 A rating at room temperature.  
- **Temperature-Stable Performance** with a derated current of 30 A at 100°C.  
- **High Voltage Blocking Capability (600 V)** for industrial and automotive applications.  
- **TO-247 Package** for efficient thermal dissipation.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.