Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology The IGB30N60T is a power transistor manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 30A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 19A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 150ns  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
The IGB30N60T is a high-speed, low-loss IGBT designed for power switching applications. It is optimized for efficiency in motor control, power supplies, and inverters.  

### **Features:**  
- Low saturation voltage (V_CE(sat))  
- Fast switching speed  
- High current capability  
- Temperature-stable characteristics  
- Robust and reliable performance  
- Suitable for high-frequency applications  

This information is based solely on Infineon's provided datasheet for the IGB30N60T.