1200V HighSpeed2 and 600V HighSpeed IGBT for switching frequency from 30kHz upwards. Focus applications: Lamp ballast, power supplies ... The IGB03N120H2 is a power semiconductor device manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Part Number:** IGB03N120H2  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200 V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 3 A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 2 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 30 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.0 V (typical) @ I_C = 3 A  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 100 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -40°C to +150°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**
- The IGB03N120H2 is a high-voltage IGBT designed for switching applications.  
- It is optimized for low conduction and switching losses, making it suitable for energy-efficient power conversion.  
- The device is designed for use in inverters, motor drives, and power supplies.  

### **Features:**
- **Low Saturation Voltage:** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 1200 V breakdown voltage.  
- **Temperature Stability:** Robust performance across a wide temperature range.  
- **TO-263 Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.