IGBTs & DuoPacks The **IGA03N120H2** is a power semiconductor device manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IGA03N120H2  
- **Device Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C):** 3A  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Technology:** TrenchStop™ (Infineon’s proprietary IGBT technology for low losses)  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_tot):** Dependent on operating conditions (refer to datasheet)  
- **Switching Frequency:** Optimized for high-frequency applications  

### **Descriptions:**  
- The **IGA03N120H2** is a **1200V, 3A** IGBT designed for high-efficiency power switching applications.  
- It features **low conduction and switching losses**, making it suitable for energy-efficient designs.  
- The **TrenchStop™ technology** enhances performance by reducing saturation voltage (V_CE(sat)).  
- The **TO-252 (DPAK) package** provides a compact footprint for space-constrained applications.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** capability for high-frequency operation.  
- **High voltage blocking capability (1200V)** for robust performance.  
- **Temperature-stable switching behavior** due to TrenchStop™ technology.  
- **Optimized for motor control, inverters, and power supplies.**  

For detailed electrical characteristics, thermal data, and application notes, refer to the official **Infineon datasheet** for the **IGA03N120H2**.