High Performance Schottky Diode for Transient Suppression The part **HBAT-5402-TR1G** is manufactured by **AVAGO** (now part of Broadcom). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer:** AVAGO (Broadcom)  
- **Part Number:** HBAT-5402-TR1G  
- **Type:** PIN Diode  
- **Package:** SOT-23  
- **Configuration:** Single  
- **Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):** 100V  
- **Current - DC Forward (If) (Max):** 100mA  
- **Power Dissipation (Max):** 250mW  
- **Capacitance @ Vr, F:** 0.6pF @ 50V, 1MHz  
- **Reverse Recovery Time (trr):** 4ns  
- **Operating Temperature:** -55°C to +150°C  
- **Mounting Type:** Surface Mount  
- **RoHS Status:** RoHS Compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and publicly available specifications.

High Performance Schottky Diode for Transient Suppression The part **HBAT-5402-TR1G** is manufactured by **Agilent** (now part of **Keysight Technologies**). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Part Type**: RF Schottky Diode  
2. **Configuration**: Dual Series  
3. **Package**: SOT-143  
4. **Reverse Voltage (VR)**: 15V  
5. **Forward Current (IF)**: 100mA  
6. **Forward Voltage (VF)**: 0.5V (typical at 10mA)  
7. **Capacitance (Ct)**: 0.5pF (typical at 0V, 1MHz)  
8. **Applications**: Mixer, detector, and multiplier circuits in RF applications  

This information is based on Agilent's datasheet for the **HBAT-5402-TR1G**. No additional guidance or suggestions are provided.