High Performance Schottky Diode for Transient Suppression The HBAT-5400-TR1G is a high-performance RF transistor manufactured by AVAGO (now part of Broadcom). Here are its key specifications:  

- **Type**: NPN Silicon Bipolar Transistor  
- **Application**: RF and Microwave Amplification  
- **Frequency Range**: Up to 6 GHz  
- **Power Output**: 4 W (typical)  
- **Voltage (Vce)**: 12 V  
- **Current (Ic)**: 500 mA  
- **Gain (Power Gain)**: 13 dB (typical at 2 GHz)  
- **Package**: SOT-89 (3-pin)  
- **Operating Temperature**: -40°C to +85°C  

This transistor is designed for use in RF power amplifiers, wireless infrastructure, and other high-frequency applications.