Silicon N / P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching The HAT3010R is a P-channel MOSFET manufactured by ROHM Semiconductor. Here are its key specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A (at T_C=25°C)  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W (at T_C=25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 30mΩ (max) at V_GS=-10V, I_D=-6A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

For detailed datasheet information, refer to ROHM Semiconductor's official documentation.