Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching The part **HAT2285WP-EL-E** is manufactured by **Renesas Electronics**.  

### Key Specifications:  
- **Type**: Power MOSFET  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  
- **Voltage Rating (VDS)**: 60V  
- **Current Rating (ID)**: 50A  
- **RDS(ON)**: 4.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (PD)**: 50W  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.  

Let me know if you need further details.