Silicon N Channel MOS FET Power Switching The part HAT2281C is manufactured by HITACHI. Below are the specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer**: HITACHI  
- **Part Number**: HAT2281C  
- **Type**: Power MOSFET  
- **Package**: TO-220F  
- **Voltage (VDS)**: 60V  
- **Current (ID)**: 30A  
- **Power Dissipation (PD)**: 30W  
- **RDS(ON)**: 0.028Ω (max)  
- **Gate Charge (Qg)**: 18nC (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This information is based on available technical documentation for the HAT2281C.

Silicon N Channel MOS FET Power Switching # Introduction to the HAT2281C Electronic Component  

The HAT2281C is a high-performance electronic component commonly used in power management and switching applications. Designed for efficiency and reliability, it is well-suited for modern electronic circuits requiring precise control and low power dissipation.  

This component is typically employed in DC-DC converters, voltage regulators, and other power supply systems where fast switching and thermal stability are critical. Its compact form factor and robust design make it an ideal choice for space-constrained applications while maintaining high durability under varying load conditions.  

Key features of the HAT2281C include low on-resistance, high current handling capability, and excellent thermal performance. These attributes contribute to reduced energy loss and improved system efficiency, making it a preferred choice for engineers working on energy-sensitive designs.  

Compatible with standard surface-mount technology (SMT), the HAT2281C facilitates easy integration into printed circuit boards (PCBs), streamlining manufacturing processes. Its versatility and performance characteristics ensure it meets the demands of both industrial and consumer electronics applications.  

For designers seeking a reliable and efficient power management solution, the HAT2281C offers a balanced combination of performance, durability, and ease of use.