Silicon N Channel MOS FET Power Switching The **HAT2281C-EL-E** is a high-performance electronic component designed for efficient power management in modern electronic circuits. This device is widely used in applications requiring precise voltage regulation, such as power supplies, DC-DC converters, and battery-powered systems.  

Engineered with advanced semiconductor technology, the HAT2281C-EL-E offers low power dissipation, high efficiency, and reliable operation under varying load conditions. Its compact form factor makes it suitable for space-constrained designs, while its robust thermal performance ensures stability in demanding environments.  

Key features of the HAT2281C-EL-E include a wide input voltage range, fast transient response, and built-in protection mechanisms against overcurrent and overtemperature conditions. These attributes make it an ideal choice for industrial, automotive, and consumer electronics applications where energy efficiency and durability are critical.  

With its combination of performance and reliability, the HAT2281C-EL-E provides designers with a versatile solution for optimizing power delivery in next-generation electronic systems. Whether used in portable devices or high-power equipment, this component delivers consistent performance while meeting stringent industry standards.

Silicon N Channel MOS FET Power Switching The part **HAT2281C-EL-E** is manufactured by **Renesas Electronics**.  

### Key Specifications:  
- **Type**: Power MOSFET  
- **Package**: SOP-8  
- **Voltage Rating (VDS)**: 30V  
- **Current Rating (ID)**: 20A  
- **RDS(ON)**: 4.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th))**: 1.0V (min) / 2.5V (max)  
- **Power Dissipation (PD)**: 2.5W  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications.  

(Source: Renesas Electronics datasheet for HAT2281C-EL-E.)