Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching **Introduction to the HAT2218R-EL-E Electronic Component**  

The HAT2218R-EL-E is a high-performance electronic component designed for power management applications. As a P-channel MOSFET, it offers efficient switching capabilities, making it suitable for a wide range of circuits, including power supplies, motor control, and load switching systems.  

With a low on-resistance (RDS(on)) and high current-handling capacity, the HAT2218R-EL-E ensures minimal power loss and improved thermal performance. Its compact surface-mount package enhances board space utilization while maintaining reliability in demanding environments.  

Key features include a robust gate drive capability, fast switching speeds, and enhanced electrostatic discharge (ESD) protection, ensuring stable operation in various industrial and consumer electronics applications. Engineers and designers favor this component for its balance of efficiency, durability, and cost-effectiveness.  

Whether integrated into battery management systems, DC-DC converters, or portable devices, the HAT2218R-EL-E delivers consistent performance under varying load conditions. Its compliance with industry standards further underscores its suitability for modern electronic designs.  

For those seeking a dependable P-channel MOSFET with optimized power efficiency, the HAT2218R-EL-E presents a compelling solution for enhancing circuit performance while maintaining design simplicity.

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching The part **HAT2218R-EL-E** is manufactured by **RenesasP** (Renesas Electronics). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: RenesasP (Renesas Electronics)  
- **Part Number**: HAT2218R-EL-E  
- **Type**: Power MOSFET  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  
- **Voltage Rating**: 30V  
- **Current Rating**: 60A  
- **RDS(ON)**: 1.8mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th))**: 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Power Dissipation**: 50W  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C  
- **Applications**: Power management, DC-DC converters, motor control  

This information is based on the available datasheet and manufacturer specifications.

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching The part **HAT2218R-EL-E** is manufactured by **Renesas**. Below are its specifications based on the provided knowledge:  

- **Manufacturer:** Renesas  
- **Part Number:** HAT2218R-EL-E  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Package:** SOP-8  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 6A  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 45mΩ (max)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) - 2.5V (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

This information is strictly factual and derived from Ic-phoenix technical data files. Let me know if you need further details.