Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching The part **HAT2210RJ-EL-E** is manufactured by **Renesas**. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** Renesas  
- **Part Number:** HAT2210RJ-EL-E  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 20A  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **RDS(ON) (Max):** 8.5mΩ @ VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (Min), 2.5V (Max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

This information is based on the available Renesas datasheet for the HAT2210RJ-EL-E.