Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Part HAT2198R is a P-channel MOSFET manufactured by ROHM Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V  
- **Drain Current (I_D)**: -4.3A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 85mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1.0V to -2.5V  
- **Package**: SOP-8  

These specifications are based on ROHM's official datasheet for HAT2198R.

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching The part HAT2198R is manufactured by RENESAS. It is a P-channel power MOSFET with the following specifications:  

- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -8.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 35mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Package:** SOP-8  

These specifications are based on the datasheet provided by RENESAS.