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HAT2184WP-EL-E from RENESAS

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HAT2184WP-EL-E

Manufacturer: RENESAS

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
HAT2184WP-EL-E,HAT2184WPELE RENESAS 2500 In Stock

Description and Introduction

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching The part **HAT2184WP-EL-E** is manufactured by **Renesas Electronics**.  

### Key Specifications:  
- **Type**: Power MOSFET  
- **Configuration**: Dual N-channel  
- **Package**: PowerPAK® SO-8 (5x6)  
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 10A per channel  
- **RDS(ON) (Max)**: 8.5mΩ at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (PD)**: 2.5W  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

### Applications:  
- Power management in DC-DC converters  
- Motor control  
- Load switching  

For detailed datasheets, refer to **Renesas' official documentation**.

Application Scenarios & Design Considerations

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching # HAT2184WPELE Technical Documentation

*Manufacturer: RENESAS*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The HAT2184WPELE is a high-performance power MOSFET designed for demanding switching applications. Typical use cases include:

 DC-DC Converters : Primary switching element in buck, boost, and buck-boost configurations operating at frequencies up to 500 kHz. The device's low RDS(on) of 2.1 mΩ (typical) ensures high efficiency in power conversion stages.

 Motor Drive Circuits : Suitable for brushless DC (BLDC) and stepper motor control in industrial automation systems. The MOSFET handles peak currents up to 120A, making it ideal for motor drive applications requiring high current capability.

 Power Management Systems : Used as load switches in power distribution units and battery management systems. The low gate charge (Qg = 130 nC typical) enables fast switching with minimal drive losses.

 UPS and Inverter Systems : Primary switching component in uninterruptible power supplies and solar inverters, leveraging the 100V drain-source voltage rating for robust operation.

### Industry Applications
-  Automotive Electronics : Engine control units, electric power steering, and battery management systems
-  Industrial Automation : PLCs, motor drives, and robotic control systems
-  Telecommunications : Base station power supplies and server power distribution
-  Consumer Electronics : High-end gaming consoles, high-power audio amplifiers
-  Renewable Energy : Solar charge controllers and wind turbine power converters

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Efficiency : Low RDS(on) minimizes conduction losses
-  Thermal Performance : Low thermal resistance (RθJC = 0.5°C/W) enables better heat dissipation
-  Fast Switching : Typical switching times of 15 ns (turn-on) and 25 ns (turn-off)
-  Robust Construction : Avalanche energy rated (EAS = 480 mJ) for enhanced reliability
-  Lead-Free Package : Compliant with RoHS and WEEE directives

 Limitations: 
-  Gate Drive Requirements : Requires careful gate drive design due to moderate gate capacitance
-  Thermal Management : May require heatsinking in high-current applications
-  Cost Consideration : Premium pricing compared to standard MOSFETs
-  ESD Sensitivity : Standard ESD precautions required during handling

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
- *Pitfall*: Insufficient gate drive current causing slow switching and increased switching losses
- *Solution*: Use dedicated gate driver ICs capable of delivering 2-3A peak current with proper decoupling

 Thermal Management 
- *Pitfall*: Inadequate heatsinking leading to thermal runaway and device failure
- *Solution*: Implement proper thermal vias, copper pours, and consider forced air cooling for currents above 50A

 PCB Layout Problems 
- *Pitfall*: Long gate traces causing ringing and EMI issues
- *Solution*: Keep gate drive loop area minimal and use twisted pair for gate connections

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Drivers : Compatible with most industry-standard gate driver ICs (IR21xx series, TPS28xxx series). Ensure driver output voltage matches the recommended 10-12V gate drive.

 Microcontrollers : Works with 3.3V and 5V logic when used with appropriate level shifters or gate drivers.

 Protection Circuits : Requires external TVS diodes for overvoltage protection and current sense resistors for overcurrent protection.

 Passive Components : Gate resistors (2.2-10Ω) recommended to control switching speed and reduce ringing.

### PCB Layout Recommendations

 Power Path Layout 
- Use thick copper traces (≥2 oz) for drain and source

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