Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching The part **HAT2173H** is manufactured by **Renesas Electronics Corporation**.  

### Key Specifications:  
- **Type**: N-channel MOSFET  
- **Package**: SOP-8  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 6A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 45mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.0V (min) - 2.5V (max)  

This MOSFET is designed for power switching applications.

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching The part HAT2173H is manufactured by SANYO. It is a PNP silicon epitaxial planar transistor designed for high-speed switching applications.  

Key specifications:  
- **Type**: PNP  
- **Material**: Silicon  
- **Structure**: Epitaxial planar  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: -50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -2A  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 1W  
- **Junction Temperature (T_j)**: 150°C  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Package**: TO-92MOD  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.