Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching The part **HAT2142H-EL-E** is manufactured by **Renesas Electronics Corporation**. Below are its key specifications:

1. **Type**: Dual N-channel MOSFET  
2. **Configuration**: Half-bridge  
3. **Voltage Rating**:  
   - Drain-to-Source Voltage (V_DSS): 40V  
4. **Current Rating**:  
   - Continuous Drain Current (I_D): 8.5A  
   - Pulsed Drain Current (I_DM): 34A  
5. **On-Resistance (R_DS(on))**:  
   - 26mΩ (max) at V_GS = 10V  
6. **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**:  
   - 1.0V (min) to 2.5V (max)  
7. **Power Dissipation (P_D)**:  
   - 2.5W (per MOSFET)  
8. **Package**:  
   - SOP-8 (Small Outline Package)  
9. **Operating Temperature Range**:  
   - -55°C to +150°C  

This information is based on Renesas' official datasheet for the HAT2142H-EL-E.