Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching The part HAT2116H is manufactured by HIT (Hitachi). Here are the specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 24A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Package**: TO-220F  

This information is based solely on the available data for HAT2116H.