Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching The HAT2051T is a P-channel MOSFET manufactured by Renesas Electronics. Below are its key specifications:

- **Type**: P-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±12V  
- **Drain Current (I_D)**: -4.5A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 50mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th))**: -0.4V to -1.5V  
- **Package**: SOP-8  

These specifications are based on Renesas' datasheet for the HAT2051T.