Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching The part HAT2045T is manufactured by Renesas. It is a P-channel MOSFET with the following specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -4.5A  
- **R_DS(on) (Max)**: 45mΩ at V_GS = -4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±12V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOP-8  

This MOSFET is designed for applications requiring low on-resistance and high-speed switching.  

(Note: Always verify specifications with the latest datasheet from Renesas.)