Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching The HAT2020R-EL-E is a high-current, high-voltage N-channel power MOSFET manufactured by Renesas Electronics. Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Voltage Ratings**  
   - **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
   - **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  

2. **Current Ratings**  
   - **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
   - **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  

3. **Power Dissipation**  
   - **Maximum Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  

4. **On-Resistance**  
   - **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 0.2Ω (max) at V_GS = 10V  

5. **Switching Characteristics**  
   - **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typical)  
   - **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
   - **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  

6. **Thermal Characteristics**  
   - **Junction-to-Case Thermal Resistance (R_θJC):** 2.5°C/W  
   - **Junction-to-Ambient Thermal Resistance (R_θJA):** 62.5°C/W  

7. **Package**  
   - **Type:** TO-220F (Fully Insulated)  

8. **Applications**  
   - Power switching in industrial, automotive, and consumer electronics.  

For detailed datasheet information, refer to the official Renesas documentation.

Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching The part **HAT2020R-EL-E** is manufactured by **RENESAS-PBFR**. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** RENESAS-PBFR  
- **Part Number:** HAT2020R-EL-E  
- **Type:** RF Transistor  
- **Package:** SOT-343 (SC-70)  
- **Frequency Range:** Up to 2 GHz  
- **Application:** Low-noise amplification (LNA) for RF applications  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Voltage Rating:** Not explicitly stated in Ic-phoenix technical data files  
- **Current Rating:** Not explicitly stated in Ic-phoenix technical data files  

For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet from Renesas.

Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching The part **HAT2020R-EL-E** is manufactured by **Renesas**. Below are its specifications as per Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: Renesas  
- **Part Number**: HAT2020R-EL-E  
- **Type**: Power MOSFET  
- **Technology**: Silicon (Si)  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  
- **Polarity**: N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 20A  
- **R_DS(on) (Max)**: 4.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 30W  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This information is strictly factual and based on the available data for the component.