Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching Part HAT1038R is manufactured by Renesas. The specifications for HAT1038R include:  

- **Type**: PNP Epitaxial Planar Transistor  
- **Applications**: High-speed switching, amplification  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -1A  
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W  
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400  
- **Transition Frequency (fT)**: 80MHz  
- **Package**: TO-92 (SC-43)  

This information is based on Renesas' datasheet for HAT1038R.

Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching The part **HAT1038R** is manufactured by **HIT (Hitachi)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Package:** TO-220AC  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 10A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 150A  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 30V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.55V (typical at 5A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (typical at VR = 30V)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -55°C to +150°C  

This information is based on the manufacturer's datasheet.