128-MBit Synchronous DRAM The HYI39SC128160FE-7 is a memory component with the following specifications:  

- **Manufacturer**: Not explicitly mentioned in Ic-phoenix technical data files.  
- **Pb-free (Lead-free)**: Compliant with RoHS (Restriction of Hazardous Substances) standards, indicating it is lead-free.  
- **Descriptions & Features**:  
  - Part of a high-performance memory series.  
  - Designed for applications requiring reliable and fast data access.  
  - Suitable for industrial and commercial use.  

For detailed technical specifications, refer to the official datasheet or manufacturer documentation.

128-MBit Synchronous DRAM The part **HYI39SC128160FE-7** is manufactured by **Qimonda**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Qimonda  
- **Part Number:** HYI39SC128160FE-7  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 128Mbit  
- **Organization:** 16M x 8 (16 Meg words x 8 bits)  
- **Speed Grade:** -7 (7ns access time)  
- **Voltage:** 1.8V (Low Voltage)  
- **Package:** FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Interface:** Parallel  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) (specific range may vary)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Operation:** Designed for applications requiring fast data access.  
- **Low Power Consumption:** Operates at 1.8V, making it suitable for power-sensitive designs.  
- **Synchronous Operation:** Clock-synchronized for efficient data transfer.  
- **Burst Mode Support:** Supports sequential read/write operations for improved performance.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Includes power-saving refresh modes.  
- **FBGA Packaging:** Compact form factor suitable for space-constrained applications.  

For exact timing parameters, pin configurations, and application notes, refer to the official **Qimonda datasheet** for this part number.

128-MBit Synchronous DRAM The part **HYI39SC128160FE-7** is a **128Mb (16M x 8-bit) CMOS Synchronous DRAM (SDRAM)** manufactured by **HYundai Electronics (now SK Hynix)**.  

### **Specifications:**  
- **Density:** 128 Megabits (16M x 8-bit)  
- **Organization:** 4 banks x 4M x 8-bit  
- **Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Speed:** 7ns (143MHz)  
- **Package:** 54-pin TSOP II  
- **Refresh:** 4096 cycles/64ms  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Interface:** LVTTL  

### **Features:**  
- Fully synchronous operation  
- Programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, full page)  
- Auto refresh and self refresh modes  
- CAS Latency (CL): 2, 3  
- Single 3.3V power supply  
- Internal pipelined architecture  

This SDRAM is designed for high-performance memory applications.