256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM The HYB514256BJ-60 is a DRAM (Dynamic Random-Access Memory) chip manufactured by Siemens (SIE). Below are the factual specifications, descriptions, and features of this part:  

### **Manufacturer:** Siemens (SIE)  
### **Part Number:** HYB514256BJ-60  
### **Type:** DRAM (Dynamic RAM)  
### **Density:** 256K x 4 bits (1Mb)  
### **Organization:** 262,144 words × 4 bits  
### **Access Time:** 60 ns  
### **Operating Voltage:** 5V ±10%  
### **Package Type:** 18-pin DIP (Dual In-line Package)  
### **Refresh Cycles:** 512 cycles every 8 ms  
### **Operating Temperature Range:** 0°C to 70°C  
### **Features:**  
- Fully static operation  
- Single +5V power supply  
- TTL-compatible inputs and outputs  
- Common I/O structure  
- RAS (Row Address Strobe) and CAS (Column Address Strobe) multiplexing  
- Fast page mode operation  

This DRAM chip was commonly used in early computing systems, embedded applications, and industrial electronics where moderate-speed memory was required.