4M x 1 Bit FPM DRAM 5 V 60 ns The part **HYB514100BJ-60** is a memory module manufactured by **SIEMENS**. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Capacity:** 1 Megabit (1Mbit)  
- **Organization:** 256K x 4  
- **Speed:** 60ns access time  
- **Voltage:** 5V (standard TTL levels)  
- **Package:** 20-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Technology:** CMOS  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-speed memory applications.  
- Compatible with standard DRAM interfaces.  
- Low power consumption due to CMOS technology.  
- Suitable for industrial and embedded systems.  
- Manufactured by **SIEMENS** as part of their semiconductor product line.  

This information is based on documented specifications for the **HYB514100BJ-60** module.