HYB5116400BJ-60

4M x 4-Bit Dynamic RAM The HYB5116400BJ-60 is a memory module manufactured by Siemens. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Siemens (SIMENS)  
- **Part Number:** HYB5116400BJ-60  
- **Memory Type:** DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 4Mbit (512K x 8)  
- **Speed:** 60ns (nanoseconds) access time  
- **Voltage:** 5V (standard TTL levels)  
- **Package:** 20-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  

### **Descriptions:**  
- The HYB5116400BJ-60 is a 4Mbit DRAM chip organized as 512K words by 8 bits.  
- It is designed for use in systems requiring moderate-speed, low-power memory solutions.  
- Commonly used in older computing systems, industrial controllers, and embedded applications.  

### **Features:**  
- **Fast Access Time:** 60ns typical access speed.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for energy efficiency.  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Ensures compatibility with standard logic circuits.  
- **Refresh Required:** Standard DRAM refresh cycles needed for data retention.  
- **High Reliability:** Manufactured to Siemens' quality standards.  

This information is based on documented specifications for the HYB5116400BJ-60 DRAM chip.

4M x 4-Bit Dynamic RAM