IC Phoenix logo

Home ›  H  › H35 > HYB5116400BJ-60

HYB5116400BJ-60 from SIEMENS

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

16.113ms

HYB5116400BJ-60

Manufacturer: SIEMENS

4M x 4-Bit Dynamic RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
HYB5116400BJ-60,HYB5116400BJ60 SIEMENS 154 In Stock

Description and Introduction

4M x 4-Bit Dynamic RAM The part **HYB5116400BJ-60** is a **4M x 16-bit (64Mbit) DRAM** module manufactured by **SIEMENS**.  

### **Specifications:**  
- **Density:** 64Mbit (4M x 16-bit)  
- **Organization:** 4,194,304 words × 16 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V  
- **Access Time:** 60ns  
- **Package:** 54-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Technology:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Operation:** Supports fast page mode and burst mode for efficient data transfer.  
- **Low Power Consumption:** Designed for power-sensitive applications.  
- **Synchronous Interface:** Allows for precise clock-controlled operations.  
- **Wide Applications:** Used in embedded systems, networking devices, and industrial electronics.  

This DRAM module is optimized for performance and reliability in various computing and communication applications.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
HYB5116400BJ-60,HYB5116400BJ60 SIMEN 10 In Stock

Description and Introduction

4M x 4-Bit Dynamic RAM The HYB5116400BJ-60 is a memory module manufactured by Siemens. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Siemens (SIMENS)  
- **Part Number:** HYB5116400BJ-60  
- **Memory Type:** DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 4Mbit (512K x 8)  
- **Speed:** 60ns (nanoseconds) access time  
- **Voltage:** 5V (standard TTL levels)  
- **Package:** 20-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  

### **Descriptions:**  
- The HYB5116400BJ-60 is a 4Mbit DRAM chip organized as 512K words by 8 bits.  
- It is designed for use in systems requiring moderate-speed, low-power memory solutions.  
- Commonly used in older computing systems, industrial controllers, and embedded applications.  

### **Features:**  
- **Fast Access Time:** 60ns typical access speed.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for energy efficiency.  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Ensures compatibility with standard logic circuits.  
- **Refresh Required:** Standard DRAM refresh cycles needed for data retention.  
- **High Reliability:** Manufactured to Siemens' quality standards.  

This information is based on documented specifications for the HYB5116400BJ-60 DRAM chip.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips