HYB39S64160BT-8

64M SDRAM Component The **HYB39S64160BT-8** is a synchronous DRAM (SDRAM) module manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 64Mbit (4M x 16)  
- **Organization:** 4 banks x 1,048,576 words x 16 bits  
- **Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Speed:** 8ns (125MHz)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Refresh Cycles:** 4,096 refresh cycles every 64ms  
- **CAS Latency:** Programmable (2 or 3 cycles)  

### **Descriptions:**
- The **HYB39S64160BT-8** is a high-speed CMOS SDRAM designed for applications requiring high bandwidth and low power consumption.  
- It supports burst read and write operations with programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page).  
- Features an auto refresh and self-refresh mode for power-saving applications.  
- Fully compatible with JEDEC standards for SDRAMs.  

### **Features:**
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled commands and data transfers.  
- **Burst Mode Support:** Sequential burst lengths of 1, 2, 4, 8, or full page.  
- **Auto Precharge:** Option for automatic precharge after burst operations.  
- **Low Power Consumption:** Standby and power-down modes supported.  
- **Single 3.3V Power Supply:** No additional voltage requirements.  
- **Programmable CAS Latency:** Supports 2 or 3 cycles for flexibility.  

This information is strictly based on the manufacturer's specifications and does not include any additional recommendations.

64M SDRAM Component