512-Mbit Synchronous DRAM The HYB39S512160AE-7.5 is a synchronous DRAM (SDRAM) module manufactured by Qimonda. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Qimonda  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 512Mbit (32M x 16)  
- **Organization:** 4 Banks x 8M words x 16 bits  
- **Voltage:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed:** 7.5ns (133MHz @ CL=3)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (400mil)  
- **Refresh:** 8K cycles / 64ms (Auto & Self Refresh)  
- **Burst Lengths:** 1, 2, 4, 8, Full Page  
- **CAS Latency (CL):** 2, 3  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) / Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Descriptions:**  
- The HYB39S512160AE-7.5 is a high-speed CMOS SDRAM designed for applications requiring high bandwidth and low latency.  
- It supports programmable burst lengths and sequential/interleaved burst modes.  
- Features a fully synchronous operation with a single 3.3V power supply.  

### **Features:**  
- **High Performance:** 133MHz operation at CL=3.  
- **Low Power Consumption:** Standby and power-down modes supported.  
- **Auto Precharge:** Supports auto precharge for efficient bank management.  
- **On-Die Termination (ODT):** Optional for improved signal integrity.  
- **Compliant with JEDEC Standards:** Meets industry-standard specifications for SDRAM.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.