IC Phoenix logo

Home ›  H  › H35 > HYB39L128160AT-8

HYB39L128160AT-8 from

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

15.137ms

HYB39L128160AT-8

128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
HYB39L128160AT-8,HYB39L128160AT8 438 In Stock

Description and Introduction

128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM The **HYB39L128160AT-8** is a synchronous DRAM (SDRAM) module manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** SDRAM (Synchronous DRAM)  
- **Density:** 256Mbit (16M x 16)  
- **Organization:** 2M words × 16 bits × 4 banks  
- **Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Speed:** 8ns (125 MHz clock frequency)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (Thin Small Outline Package)  
- **Refresh Mode:** Auto-refresh & self-refresh  
- **CAS Latency (CL):** 2 or 3 (programmable)  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page (programmable)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Descriptions:**
- The **HYB39L128160AT-8** is a high-speed CMOS SDRAM designed for applications requiring high bandwidth and low power consumption.  
- It supports burst read/write operations for efficient data transfer.  
- The device is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems.  

### **Features:**
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled command execution.  
- **Programmable Burst Length:** Supports 1, 2, 4, 8, or full-page bursts.  
- **Auto Precharge:** Option for automatic row precharge.  
- **Low Power Consumption:** Standby and power-down modes available.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Compatible with standard logic levels.  
- **4-Bank Architecture:** Reduces row access conflicts.  
- **Compliant with JEDEC Standards:** Ensures industry compatibility.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
HYB39L128160AT-8,HYB39L128160AT8 INFINEON 87 In Stock

Description and Introduction

128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM The HYB39L128160AT-8 is a 128Mb (8Mx16) synchronous DRAM (SDRAM) manufactured by Infineon Technologies.  

### **Specifications:**  
- **Organization:** 8M words × 16 bits  
- **Density:** 128 Megabit (16MB)  
- **Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Speed:** 8ns (125MHz)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II  
- **Refresh:** 4,096 refresh cycles / 64ms  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page  
- **CAS Latency:** 2, 3  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Descriptions & Features:**  
- Fully synchronous operation with a single 3.3V power supply  
- Internal pipelined architecture for high-speed data transfer  
- Programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page)  
- Auto Refresh (CBR) and Self Refresh modes  
- Automatic precharge and power-down modes  
- 4 internal banks for concurrent operations  
- Compatible with JEDEC-standard SDRAMs  
- LVTTL-compatible inputs and outputs  

This SDRAM is designed for applications requiring high-speed memory access, such as networking, computing, and embedded systems.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips