HYB39L128160AT-8

128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM The **HYB39L128160AT-8** is a synchronous DRAM (SDRAM) module manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** SDRAM (Synchronous DRAM)  
- **Density:** 256Mbit (16M x 16)  
- **Organization:** 2M words × 16 bits × 4 banks  
- **Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Speed:** 8ns (125 MHz clock frequency)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (Thin Small Outline Package)  
- **Refresh Mode:** Auto-refresh & self-refresh  
- **CAS Latency (CL):** 2 or 3 (programmable)  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page (programmable)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Descriptions:**
- The **HYB39L128160AT-8** is a high-speed CMOS SDRAM designed for applications requiring high bandwidth and low power consumption.  
- It supports burst read/write operations for efficient data transfer.  
- The device is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems.  

### **Features:**
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled command execution.  
- **Programmable Burst Length:** Supports 1, 2, 4, 8, or full-page bursts.  
- **Auto Precharge:** Option for automatic row precharge.  
- **Low Power Consumption:** Standby and power-down modes available.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Compatible with standard logic levels.  
- **4-Bank Architecture:** Reduces row access conflicts.  
- **Compliant with JEDEC Standards:** Ensures industry compatibility.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM