1M x 4 Bit FPM DRAM 3.3 V 60 ns The part **HYB314400BJ-60** is a **4Mbit (256K x 16) Fast Page Mode DRAM** manufactured by **SIEMENS**.  

### **Specifications:**  
- **Organization:** 256K words × 16 bits  
- **Memory Type:** Fast Page Mode DRAM  
- **Speed:** 60 ns  
- **Voltage Supply:** 5V ±10%  
- **Package:** 40-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Features:**  
- **Fast Page Mode Operation:** Reduces access time for sequential reads.  
- **Single 5V Power Supply:** Compatible with standard TTL levels.  
- **Refresh Cycles:** 4K refresh cycles every 64ms.  
- **CAS (Column Address Strobe) Before RAS (Row Address Strobe) Refresh:** Supports hidden refresh mode.  
- **Output Enable (OE) and Write Enable (WE) Control:** Provides flexible read/write operations.  

This DRAM was commonly used in older computing and industrial applications requiring moderate-speed memory.