512MBit Mobile-RAM The **HYB25L512160AC** is a memory component manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 512 Mbit (64M x 8 or 32M x 16)  
- **Organization:**  
  - 64M words × 8 bits  
  - 32M words × 16 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed Grades:** Available in different speed options (e.g., -6, -7, -75, etc.)  
- **Package:** TSOP-II (Thin Small Outline Package)  
- **Refresh Mode:** Auto-refresh and self-refresh supported  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Descriptions:**  
- The **HYB25L512160AC** is a high-performance **512Mbit SDRAM** designed for applications requiring high-speed data transfer.  
- It supports **burst read and write operations** with programmable burst lengths.  
- Features **fully synchronous operation** with a single 3.3V power supply.  

### **Features:**  
- **Synchronous Interface:** Clock-controlled command, address, and data operations.  
- **Programmable Burst Length:** Supports 1, 2, 4, 8, or full-page burst modes.  
- **CAS Latency Options:** Configurable (typically 2 or 3 cycles).  
- **Auto Precharge:** Supports auto-precharge for efficient memory management.  
- **Low Power Consumption:** Includes power-down and self-refresh modes.  
- **Compliant with JEDEC Standards:** Ensures industry-standard compatibility.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.