512MBit Mobile-RAM The **HYB25L512160AC-75** is a memory module manufactured by **Infineon**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 512 Mbit (64M x 8)  
- **Organization:** 16M words × 16 bits × 2 banks  
- **Speed:** 7.5 ns (133 MHz clock frequency)  
- **Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Package:** 54-pin TSOP-II  
- **Refresh:** 4096 cycles (64 ms refresh interval)  
- **CAS Latency (CL):** 2 or 3 (programmable)  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page (programmable)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions:**  
- The **HYB25L512160AC-75** is a high-speed CMOS SDRAM designed for applications requiring high bandwidth and low power consumption.  
- It supports auto refresh and self refresh modes.  
- Fully compatible with JEDEC standards for SDRAM.  

### **Features:**  
- **High Performance:** 133 MHz operation with low latency.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power-sensitive applications.  
- **Programmable Burst Length:** Supports various burst lengths for efficient data transfer.  
- **Auto Precharge:** Enhances performance by reducing command overhead.  
- **Industrial-Grade Options:** Available in extended temperature ranges (if applicable).  

This information is based solely on Infineon's documented specifications for the **HYB25L512160AC-75** memory module.