IC Phoenix logo

Home ›  H  › H35 > HYB25L512160AC-7.5

HYB25L512160AC-7.5 from QIMONDA

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

15.137ms

HYB25L512160AC-7.5

Manufacturer: QIMONDA

Specialty DRAMs

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
HYB25L512160AC-7.5,HYB25L512160AC75 QIMONDA 29796 In Stock

Description and Introduction

Specialty DRAMs The HYB25L512160AC-7.5 is a memory component manufactured by Qimonda. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Qimonda  
- **Part Number:** HYB25L512160AC-7.5  
- **Memory Type:** SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 512Mbit (64M x 8)  
- **Organization:** 16M words × 16 bits × 2 banks  
- **Voltage Supply:** 2.5V ± 0.2V  
- **Speed Grade:** -7.5 (7.5ns access time, 133MHz clock frequency)  
- **Interface:** Parallel  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) (varies by specific model)  
- **Refresh:** 4096 cycles every 64ms  

### **Descriptions and Features:**  
- **High-Speed Synchronous Operation:** Supports a clock frequency of up to 133MHz.  
- **Burst Mode Support:** Programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page).  
- **Auto Refresh and Self Refresh:** Includes power-saving modes.  
- **CAS Latency Options:** Programmable CAS latencies (2, 3).  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power-sensitive applications.  
- **On-Die Termination (ODT):** Reduces signal reflections for improved signal integrity (if applicable).  
- **Double Data Rate (DDR) Not Supported:** This is a single-data-rate (SDR) SDRAM.  

This information is strictly based on the available technical details for the HYB25L512160AC-7.5 from Qimonda.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
HYB25L512160AC-7.5,HYB25L512160AC75 SAMSUNG 7500 In Stock

Description and Introduction

Specialty DRAMs The **HYB25L512160AC-7.5** is a **512Mb (32Mx16) Mobile Low Power SDRAM** manufactured by **Samsung**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Density:** 512Mb (32M words × 16 bits)  
- **Organization:** 4 Banks × 8M × 16  
- **Voltage Supply:** 1.8V ± 0.1V  
- **Speed:** 7.5ns (133MHz @ CL=3)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (400mil)  
- **Interface:** LVTTL  
- **Refresh:** 8K refresh cycles / 64ms (Auto & Self Refresh)  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, Full Page  
- **CAS Latency (CL):** 2, 3  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) / Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Descriptions:**  
- Designed for **low-power mobile applications**  
- Supports **programmable burst lengths** and **sequential/interleaved burst modes**  
- **Auto Precharge** and **Power Down Mode** for power efficiency  
- **Partial Array Self Refresh (PASR)** for reduced standby current  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-operated devices  
- **High-Speed Operation:** Up to 133MHz at CL=3  
- **Mobile-Optimized:** Supports Partial Array Self Refresh (PASR) and Temperature Compensated Self Refresh (TCSR)  
- **Compatible with JEDEC Standards**  

This SDRAM is commonly used in **mobile phones, PDAs, and portable electronics** requiring low power and high performance.  

*(Source: Samsung Datasheet for HYB25L512160AC-7.5)*

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
HYB25L512160AC-7.5,HYB25L512160AC75 INFINEON 10500 In Stock

Description and Introduction

Specialty DRAMs The HYB25L512160AC-7.5 is a memory component manufactured by Infineon. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 512 Mbit (64M x 8 or 32M x 16)  
- **Organization:**  
  - 64M words × 8 bits  
  - 32M words × 16 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V ± 0.3V  
- **Speed Grade:** 7.5ns (133 MHz operating frequency)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II  
- **Refresh Mode:** Auto-refresh and self-refresh  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page  
- **CAS Latency (CL):** 2 or 3 cycles  

### **Descriptions:**  
The HYB25L512160AC-7.5 is a high-speed CMOS SDRAM designed for applications requiring high bandwidth and low power consumption. It supports programmable burst lengths and CAS latencies for flexible system integration.  

### **Features:**  
- Fully synchronous operation with a single 3.3V power supply  
- Internal pipelined architecture for high-speed data transfer  
- Programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page)  
- Auto-precharge and auto-refresh functions  
- Low-power standby and self-refresh modes  
- Compatible with JEDEC standards for SDRAMs  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips