Very low Power SDRAM optimized for battery-powered, handheld applications The **HYB25L256160AF-7.5** is a **256Mb (16M x 16-bit) Synchronous DRAM (SDRAM)** manufactured by **Infineon Technologies**.  

### **Key Specifications:**  
- **Density:** 256 Megabit (16M words × 16 bits)  
- **Organization:** 4 Banks × 4M words × 16 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed Grade:** **-7.5** (7.5ns access time, 133MHz clock frequency)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Fully synchronous with single clock rising-edge control  
- **Burst Length:** Programmable (1, 2, 4, 8, or full page)  
- **CAS Latency (CL):** 2, 3 cycles  
- **Refresh:** Auto-refresh (8K cycles/64ms) and self-refresh modes  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Features:**  
- **High-Speed Data Transfer:** Supports 133MHz operation  
- **Low Power Consumption:** Standby and power-down modes  
- **Burst Read/Write Operations**  
- **Auto Precharge Option**  
- **Programmable Burst Length**  
- **Compatible with JEDEC SDRAM Standards**  

This SDRAM is commonly used in **PCs, networking equipment, embedded systems, and consumer electronics** requiring high-speed memory access.  

Would you like additional details on pin configurations or timing parameters?