Specialty DRAMs The HYB25L256160AC-7.5 is a 256Mb (16M x 16) Mobile-RAM manufactured by Infineon. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 256Mb (16M words × 16 bits)  
- **Organization:** 4 banks × 4M words × 16 bits  
- **Voltage Supply:** 1.7V–1.95V (LVCMOS)  
- **Speed Grade:** 7.5ns (133MHz clock frequency)  
- **Interface:** Mobile-RAM (CellularRAM™) with asynchronous and burst modes  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** 54-ball VFBGA (6mm × 8mm)  

### **Descriptions:**
- Designed for low-power mobile applications.  
- Combines SRAM-like interface with DRAM technology for cost efficiency.  
- Supports asynchronous page mode and burst mode operations.  
- Features partial array self-refresh (PASR) for power savings.  
- Backward-compatible with standard asynchronous SRAM.  

### **Features:**
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: ~30mA (typical)  
  - Standby current: ~20µA (typical)  
- **Burst Mode Support:** Linear or interleaved burst sequences.  
- **Self-Refresh:** Supports temperature-compensated self-refresh (TCSR).  
- **PASR (Partial Array Self-Refresh):** Reduces power by refreshing only selected banks.  
- **Asynchronous Operation:** No clock required for basic read/write.  
- **Industrial-Grade Options Available.**  

This device is optimized for battery-powered applications such as smartphones, tablets, and portable electronics.  

(Source: Infineon datasheet for HYB25L256160AC-7.5)

Specialty DRAMs The part **HYB25L256160AC-7.5** is a memory component manufactured by **Qimonda**. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Qimonda  
- **Part Number:** HYB25L256160AC-7.5  
- **Memory Type:** DDR SDRAM  
- **Density:** 256Mb (32M x 8)  
- **Organization:** 32M words × 8 bits  
- **Speed Grade:** -7.5 (133 MHz clock frequency)  
- **Supply Voltage:** 2.5V ± 0.2V  
- **Interface:** Double Data Rate (DDR)  
- **Package:** TSOP-II (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C), depending on variant  

### **Descriptions & Features:**  
- **DDR SDRAM Technology:** Supports high-speed data transfer with double data rate architecture.  
- **Low Power Consumption:** Operates at 2.5V, reducing power usage compared to older SDRAM.  
- **Burst Length:** Supports programmable burst lengths (2, 4, or 8).  
- **Auto Refresh & Self-Refresh:** Includes built-in refresh mechanisms for data retention.  
- **CAS Latency:** Configurable CAS latencies (2, 2.5, or 3) for performance tuning.  
- **On-Die Termination (ODT):** Improves signal integrity in high-speed applications.  
- **Applications:** Used in networking, computing, and embedded systems requiring moderate-speed DDR memory.  

This information is based on standard Qimonda DDR SDRAM specifications for the **HYB25L256160AC-7.5** part. For exact details, refer to the official datasheet.

Specialty DRAMs The HYB25L256160AC-7.5 is a 256Mb (32M x 8-bit) Low Power SDRAM manufactured by Infineon Technologies.  

### **Specifications:**  
- **Density:** 256Mb (32M x 8-bit)  
- **Organization:** 4 banks x 8,192 rows x 512 columns x 8 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V ±0.3V  
- **Speed Grade:** 7.5ns (133MHz)  
- **Interface:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Refresh:** 4,096 refresh cycles / 64ms  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (400mil)  

### **Features:**  
- Fully synchronous operation with a single 3.3V power supply  
- Programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page)  
- Auto Refresh (CBR) and Self Refresh modes  
- Internal pipelined operation for high-speed data transfer  
- LVTTL-compatible inputs and outputs  
- CAS Latency options: 2, 3  
- Burst read and burst write operations  

This SDRAM is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems requiring low-power, high-speed memory.

Specialty DRAMs The **HYB25L256160AC-7.5** is a **256Mb (32M x 8-bit) Low Power SDRAM** manufactured by **Infineon Technologies (formerly Qimonda)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Density:** 256Mb (32M words × 8 bits)  
- **Organization:** 4 banks × 8,192 rows × 1,024 columns  
- **Voltage Supply:** 1.8V ±0.1V  
- **Speed Grade:** 7.5ns (133MHz clock frequency)  
- **Refresh:** 8,192 cycles every 64ms (auto-refresh & self-refresh supported)  
- **Interface:** LVTTL-compatible  
- **Package:** 54-pin TSOP-II (400mil width)  

### **Features:**  
- **Low Power Consumption:** Optimized for mobile and battery-powered applications  
- **Burst Length:** Programmable (1, 2, 4, 8, full page)  
- **CAS Latency:** 2 or 3 cycles (programmable)  
- **Auto Precharge & Power-Down Modes**  
- **Partial Array Self-Refresh (PASR)** for reduced standby current  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Applications:**  
- Mobile devices  
- Embedded systems  
- Networking equipment  
- Consumer electronics  

This SDRAM is designed for high-performance, low-power applications requiring efficient memory management.