HYB25L256160AC-7.5

Specialty DRAMs The HYB25L256160AC-7.5 is a 256Mb (16M x 16) Mobile-RAM manufactured by Infineon. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 256Mb (16M words × 16 bits)  
- **Organization:** 4 banks × 4M words × 16 bits  
- **Voltage Supply:** 1.7V–1.95V (LVCMOS)  
- **Speed Grade:** 7.5ns (133MHz clock frequency)  
- **Interface:** Mobile-RAM (CellularRAM™) with asynchronous and burst modes  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** 54-ball VFBGA (6mm × 8mm)  

### **Descriptions:**
- Designed for low-power mobile applications.  
- Combines SRAM-like interface with DRAM technology for cost efficiency.  
- Supports asynchronous page mode and burst mode operations.  
- Features partial array self-refresh (PASR) for power savings.  
- Backward-compatible with standard asynchronous SRAM.  

### **Features:**
- **Low Power Consumption:**  
  - Active current: ~30mA (typical)  
  - Standby current: ~20µA (typical)  
- **Burst Mode Support:** Linear or interleaved burst sequences.  
- **Self-Refresh:** Supports temperature-compensated self-refresh (TCSR).  
- **PASR (Partial Array Self-Refresh):** Reduces power by refreshing only selected banks.  
- **Asynchronous Operation:** No clock required for basic read/write.  
- **Industrial-Grade Options Available.**  

This device is optimized for battery-powered applications such as smartphones, tablets, and portable electronics.  

(Source: Infineon datasheet for HYB25L256160AC-7.5)

Specialty DRAMs