IC Phoenix logo

Home ›  H  › H35 > HYB25D512160BF-6

HYB25D512160BF-6 from QIMONDA

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

15.137ms

HYB25D512160BF-6

Manufacturer: QIMONDA

512Mbit Double Data Rate (DDR) Components

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
HYB25D512160BF-6,HYB25D512160BF6 QIMONDA 251 In Stock

Description and Introduction

512Mbit Double Data Rate (DDR) Components The part **HYB25D512160BF-6** is a memory module manufactured by **Qimonda**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Qimonda  
- **Type:** DDR2 SDRAM  
- **Density:** 512Mb (Megabit)  
- **Organization:** 16M x 32  
- **Speed Grade:** -6 (PC2-5300, 667 MHz)  
- **Voltage:** 1.8V  
- **Package:** FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)  
- **Data Rate:** 667 Mbps  
- **CAS Latency (CL):** 5, 6  
- **Burst Length:** 4, 8  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 85°C)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Performance:** Designed for applications requiring high-speed data transfer.  
- **Low Power Consumption:** Operates at 1.8V, reducing power usage compared to older DDR modules.  
- **FBGA Packaging:** Enhances thermal and electrical performance.  
- **DDR2 Technology:** Supports higher bandwidth and improved efficiency over DDR1.  
- **On-Die Termination (ODT):** Helps improve signal integrity.  

This module was commonly used in computing and embedded systems before Qimonda's closure in 2009.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
HYB25D512160BF-6,HYB25D512160BF6 INFINEON 777 In Stock

Description and Introduction

512Mbit Double Data Rate (DDR) Components The HYB25D512160BF-6 is a memory module manufactured by Infineon. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** DDR SDRAM  
- **Density:** 512Mbit  
- **Organization:** 16M x 32  
- **Speed Grade:** -6 (166 MHz / 6ns access time)  
- **Voltage:** 2.5V ± 0.2V  
- **Package:** TSOP-II (66-pin)  
- **Refresh:** 8K/64ms refresh cycles  
- **Burst Length:** 2, 4, 8  
- **CAS Latency:** 2, 2.5, 3  

### **Descriptions:**  
- The HYB25D512160BF-6 is a high-speed CMOS Double Data Rate (DDR) SDRAM.  
- It is designed for high-performance memory applications.  
- The module operates with a 2.5V power supply and supports programmable burst lengths.  

### **Features:**  
- **DDR Technology:** Provides double data rate transfer for improved performance.  
- **Low Power Consumption:** 2.5V operation reduces power usage.  
- **Programmable Burst Lengths:** Supports 2, 4, or 8-word bursts.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports power-saving modes.  
- **Bi-Directional Data Strobe (DQS):** Ensures reliable data capture.  
- **On-Die Termination (ODT):** Improves signal integrity.  

This information is strictly based on the manufacturer's specifications.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips